iPhone 6 Plus记忆体出故障 苹果公司恐全面回收

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哈通社阿斯塔纳11月5日电,据《自由时报》消息,Iphone 6 Plus传出储存功能出包,手机系统会发生崩溃、不断重开机等现象。

《AppleInsider》上个月就曾报导,Iphone 6 Plus只要使用者安装超过700项应用程序(App)后,手机系统就会发生问题,不断重新开机。有不少使用者都发生上述的情况,其中以128GB的机种情况最严重。 根据韩国媒体《BusinessKorea》昨日报导,苹果很有可能为了减少大尺寸、大容量机款的成本,选择了稳定度较差的NAND快闪记忆体,其中的控制IC很有可能就是罪魁祸首。 报导指出,苹果所采用的快闪记忆体为三阶储存单元(TLC),是一种固态的NAND Flash,每一个快闪媒介单元都能储存3位元的资料,其容量较单阶储存单元(SLC)、多阶储存单元(MLC)多上2到3倍,资料运算速度却不如SLC或MLC,因而价格也比较便宜。 据了解,苹果为节省成本,在苹果大尺吋新机、最大容量的机款128GB Iphone 6 Plus与其它部分机种,采用了TLC flash。过去iPhone手机通常都使用稳定度较高、但价格也较贵的MLC flash,而TLC flash只会用在部分iPad机种上。 韩国媒体报导,有业界人士认为,若最后发现TLC flash真的是导致6 Plus系统当机原因,苹果很有可能会全面收回6 Plus手机。

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